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800V高壓MOS:CMF80R450P

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800V高壓MOS:CMF80R450P

>>CMF80R450P詳情頁

CMF80R450P功率MOSFET,是采用廣東場效應半導體有限公司(Cmos)先進的超級結技術,實現非常低的內阻RDS(on)和柵極電荷QG。采用優化的電荷耦合技術來提供高的效率。應用范圍廣泛,可用于開關應用,DC-DC轉換器,電機控制,Adaptor電源、PFC電源應用等。有800V高耐壓能力,及很好的性價比。



卓越的電氣特性

CMF80R450P的主要電氣特性包括: 

高耐壓:CMF80R450P的耐壓(BVDSS)為800V。

電流能力:在25℃條件下,其最大連續漏極電流(ID)可達11A。



高抗沖擊力:CMF80R450P采用Cmos先進的超級結技術,單次雪崩能量為260mJ,使其有較強的抗沖擊能力,能承受在雪崩和換向模式下的高能量脈沖。

低開啟電壓:開啟電壓VGS(th)是2~4V,使得在較低的驅動電壓下也能開啟。

低導通損耗:在柵極電壓(VGS)為10V時,CMF80R450P的導通電阻(RDS(on))最大為0.4Ω。低導通電阻降低了導通狀態下的損耗,提高了電路的能效,使得在電路應用中效率更高。



低開關損耗:非常低的QG、結電容,使其具有優越的開關性能,非常低的開關損耗。



適用范圍廣泛

CMF80R450P 由于其優異的特性,適用于多種應用場景,適合于多種電源電路。MOS管的高耐壓、低導通電阻、直接影響抗沖擊能力、可靠性、能效。低QG、低結電容,使其具有很好的開關特性及低開關損耗,能夠很好地滿足電路需求。


CMF80R450P 采用的TO-220F封裝,其優秀的電氣特性,使其能夠在各種高應力環境下穩定工作。通過優化半導體材料和制造工藝,Cmos成功地將這些特性集成到CMF80R450P中,使其在各種電源電路應用中表現出色。



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