CMD30N10是采用Cmos溝槽工藝封測(cè)的一款N溝道增強(qiáng)型場(chǎng)效應(yīng)晶體管。特點(diǎn)是，具有更低的閘間電容，擁有更優(yōu)秀的開(kāi)關(guān)特性，滿足超高頻率開(kāi)關(guān)切換電路的應(yīng)用。
近十年來(lái)，以智能手機(jī)、智能手表、智能眼鏡等為代表的智能3C類(lèi)穿戴設(shè)備呈現(xiàn)出爆炸式增長(zhǎng)，與此同時(shí)，與之配套相關(guān)的電源類(lèi)產(chǎn)品，如半導(dǎo)體材料、相關(guān)電子技術(shù)及產(chǎn)品設(shè)計(jì)均得到快速發(fā)展。
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