CMSL025N12是采用廣東場(chǎng)效應(yīng)半導(dǎo)體有限公司（Cmos）先進(jìn)的SGT工藝技術(shù)和設(shè)計(jì)，提供非常優(yōu)秀的RDS（ON），廣泛應(yīng)用于負(fù)載開(kāi)關(guān)、電池保護(hù)電路、UPS電源、能量逆變器電源、電機(jī)驅(qū)動(dòng)等。是一款高效、可靠的優(yōu)秀MOS管。
CMD30N10是采用Cmos溝槽工藝封測(cè)的一款N溝道增強(qiáng)型場(chǎng)效應(yīng)晶體管。特點(diǎn)是，具有更低的閘間電容，擁有更優(yōu)秀的開(kāi)關(guān)特性，滿足超高頻率開(kāi)關(guān)切換電路的應(yīng)用。
CMSC1653是一款采用場(chǎng)效應(yīng)半導(dǎo)體先進(jìn)溝槽工藝開(kāi)發(fā)的N溝道型MOSFET產(chǎn)品，其最大特點(diǎn)是具有卓越的優(yōu)值系數(shù)（FOM）。
CMP073N15集合了低導(dǎo)通電阻、高耐壓、低開(kāi)關(guān)損耗 等多項(xiàng)特點(diǎn)，成為各種高效能電源系統(tǒng)和高功率應(yīng)用的理想選擇。
逆變?cè)O(shè)備在電力工程和電子設(shè)備中有著廣泛的應(yīng)用基礎(chǔ)，從大至千伏級(jí)別的超高壓大型電力工程設(shè)備，到小至百伏小型開(kāi)關(guān)電源中都會(huì)用到逆變?cè)O(shè)備或者逆變系統(tǒng)。
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